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揭祕半導體制造全流程(上篇)

來源:包裹大陸網 作者:泛林集團 2021-07-19 13:45 次閲讀

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當聽到“半導體”這個詞時,你會想到什麼?它聽起來複雜且遙遠,但其實已經滲透到我們生活的各個方面:從智能手機、筆記本電腦、信用卡到地鐵,我們日常生活所依賴的各種物品都用到了半導體。

每個半導體產品的製造都需要數百個工藝,泛林集團將整個製造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。

為幫助大家瞭解和認識半導體及相關工藝,我們將以三期微信推送,為大家逐一介紹上述每個步驟。

第一步晶圓加工

所有半導體工藝都始於一粒沙子!因為沙子所含的硅是生產晶圓所需要的原材料。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)製成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂,一種二氧化硅含量高達95%的特殊材料,也是製作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是製作獲取上述晶圓的過程。

①鑄錠

首先需將沙子加熱,分離其中的一氧化碳和硅,並不斷重複該過程直至獲得超高純度的電子級硅(EG-Si)。高純硅熔化成液體,進而再凝固成單晶固體形式,稱為“錠”,這就是半導體制造的第一步。硅錠(硅柱)的製作精度要求很高,達到納米級,其廣泛應用的製造方法是提拉法。

②錠切割
前一個步驟完成後,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑決定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助於降低生產成本。切割硅錠後需在薄片上加入“平坦區”或“凹痕”標記,方便在後續步驟中以其為標準設置加工方向。

③晶圓表面拋光
通過上述切割過程獲得的薄片被稱為“裸片”,即未經加工的“原料晶圓”。裸片的表面凹凸不平,無法直接在上面印製電路圖形。因此,需要先通過研磨和化學刻蝕工藝去除表面瑕疵,然後通過拋光形成光潔的表面,再通過清洗去除殘留污染物,即可獲得表面整潔的成品晶圓。

第二步氧化

氧化過程的作用是在晶圓表面形成保護膜。它可以保護晶圓不受化學雜質影響、避免漏電流進入電路、預防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑脱。

氧化過程的第一步是去除雜質和污染物,需要通過四步去除有機物、金屬等雜質及蒸發殘留的水分。清潔完成後就可以將晶圓置於800至1200攝氏度的高温環境下,通過氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動形成二氧化硅(即“氧化物”)層。氧氣擴散通過氧化層與硅反應形成不同厚度的氧化層,可以在氧化完成後測量它的厚度。

幹法氧化和濕法氧化
根據氧化反應中氧化劑的不同,熱氧化過程可分為幹法氧化和濕法氧化,前者使用純氧產生二氧化硅層,速度慢但氧化層薄而緻密,後者需同時使用氧氣和高溶解度的水蒸氣,其特點是生長速度快但保護層相對較厚且密度較低。

除氧化劑以外,還有其他變量會影響到二氧化硅層的厚度。首先,晶圓結構及其表面缺陷和內部摻雜濃度都會影響氧化層的生成速率。此外,氧化設備產生的壓力和温度越高,氧化層的生成就越快。在氧化過程,還需要根據單元中晶圓的位置而使用假片,以保護晶圓並減小氧化度的差異。

第三步光刻

光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上,我們可以將其理解為在晶圓表面繪製半導體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高,成品芯片的集成度就越高,必須通過先進的光刻技術才能實現。具體來説,光刻可分為塗覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。

①塗覆光刻膠
在晶圓上繪製電路的第一步是在氧化層上塗覆光刻膠。光刻膠通過改變化學性質的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層越薄,塗覆越均勻,可以印刷的圖形就越精細。這個步驟可以採用“旋塗”方法。

根據光(紫外線)反應性的區別,光刻膠可分為兩種:正膠和負膠,前者在受光後會分解並消失,從而留下未受光區域的圖形,而後者在受光後會聚合並讓受光部分的圖形顯現出來。

②曝光

在晶圓上覆蓋光刻膠薄膜後,就可以通過控制光線照射來完成電路印刷,這個過程被稱為“曝光”。我們可以通過曝光設備來選擇性地通過光線,當光線穿過包含電路圖案的掩膜時,就能將電路印製到下方塗有光刻膠薄膜的晶圓上。

在曝光過程中,印刷圖案越精細,最終的芯片就能夠容納更多元件,這有助於提高生產效率並降低單個元件的成本。在這個領域,目前備受矚目的新技術是EUV光刻。去年2月,泛林集團與戰略合作伙伴ASML和imec共同研發出了一種全新的幹膜光刻膠技術。該技術能通過提高分辨率(微調電路寬度的關鍵要素)大幅提升EUV光刻曝光工藝的生產率和良率。

③顯影
曝光之後的步驟是在晶圓上噴塗顯影劑,目的是去除圖形未覆蓋區域的光刻膠,從而讓印刷好的電路圖案顯現出來。顯影完成後需要通過各種測量設備和光學顯微鏡進行檢查,確保電路圖繪製的質量。

以上是對晶圓加工、氧化和光刻工藝的簡要介紹,下一期,我們將為大家介紹半導體制造中兩大重要步驟——刻蝕和薄膜沉積,敬請期待!

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《模擬電子技術基礎》清華大學模電第四版(童詩白)課件及教材課後答案

LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件採用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用於對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,並且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用於成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓範圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規範:2 kV HBM 擴展温度範圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 通用 運算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
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LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高轉換率 RRIO 運算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用於需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易於使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用於低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由於電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展温度範圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 通用 運算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
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TLV9052 5MHz、15-V/µs 高轉換率 RRIO 運算放大器

TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地温度傳感器

TMP422是具有內置本地温度傳感器的遠程温度傳感器監視器。遠程温度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大範圍遠程温度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422採用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地温度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比 數字温度傳感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
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TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地温度傳感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平台用於汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(採用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啓動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啓動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪湧電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件温度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行温度範圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相採用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作採用兩相配置的遠...
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LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和温度範圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低於負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯後(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高於V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期。可以通過在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對於快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電覆位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用於工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯後(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
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TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

INA240-SEP 採用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降範圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈衝寬度調製(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件採用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個製造現場 可用於軍用(-55°C至125°C)温度範圍 ExtendedProduct生命週期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用於低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
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INA240-SEP 採用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個温度區域之一控制。支持高和低PWM頻率範圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑温度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用於測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基於温度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制温度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字温度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率範圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字温度傳感器

LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管温度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身温度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的温度。 LM63遠程温度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用於校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈衝寬度調製(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程温度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用户能夠編程非線性風扇速度與温度傳遞函數,通常用於靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身温度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用户可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用於 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用户可選引腳 用於測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用於測量典型應用中脈衝寬度調製功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
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LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字温度傳感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件採用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝製造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基於TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用於雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用户可編程ARM R4F,用於汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,並可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),並且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平台解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用户文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的温度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩衝高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業温度範圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用於需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件採用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相併且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作並可在-40°C至+ 125°C的擴展工業温度範圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)採用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)採用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1採用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5021器件是一款用於高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件採用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,並根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直於封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小於磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯後有助於防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境温度範圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 範圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯後以增強抗噪能力 工作温度範圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 霍爾效應鎖存器和開關   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推輓式汽車類高電壓比較器

TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源範圍,推輓輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推輓輸出級用於驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峯值電流推輓輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,採用6引腳SOT-23封裝,額定工作温度範圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境温度工作温度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源範圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模範圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
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TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推輓式汽車類高電壓比較器

TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地温度傳感器

這個遠程温度傳感器通常採用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示温度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程温度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的温度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分佈式遙測應用中進行多位置高精度温度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程温度傳感器可提供一種簡單的方法來測量温度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓範圍為1.7V至3.6V,額定工作温度範圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地温度傳感器

LP87524P-Q1 用於 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平台的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啓動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啓動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪湧電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備温度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作温度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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LP87524P-Q1 用於 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峯值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峯值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峯值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峯值電壓限制器可優化整個充電週期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件採用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閒信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峯值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz採樣率 靈活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行並點...
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TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

LM358B 雙路運算放大器

LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地範圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室温下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用於最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件採用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源範圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓範圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有説明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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LM358B 雙路運算放大器

LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平台的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調製(PWM)到脈頻調製(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用於控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啓動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪湧電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件温度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行温度範圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,並且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,並且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列採用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用於成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓範圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展温度範圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比 通用 運算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平台的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調製(PWM)到脈頻調製(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流範圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用於控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啓動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪湧電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件温度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行温度範圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器